ประเภทการติดตั้ง
ดั้งเดิม
สถานที่กำเนิด
Taiwan, Japan
ประเภทผู้ผลิต
ผู้ผลิตเดิม
Media ม
เอกสารข้อมูลสินค้า
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด)
ดั้งเดิม
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
ดั้งเดิม
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
ดั้งเดิม
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน
ดั้งเดิม
อุณหภูมิในการทำงาน
ดั้งเดิม
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1)
ดั้งเดิม
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)
ดั้งเดิม
FET คุณลักษณะ
ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SIC)
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
ดั้งเดิม
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
ดั้งเดิม
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
ดั้งเดิม
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
ดั้งเดิม
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
ดั้งเดิม
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
ดั้งเดิม
การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)
ดั้งเดิม
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)
ดั้งเดิม
