NGM200FFB120C2T2 igbttriode โมดูลพลังงานสูงส่วนอิเล็กทรอนิกส์ IGBT โมดูลทรานซิสเตอร์แยกออกเซมิคอนดักเตอร์อินเวอร์เตอร์อื่นๆ IC

Name: NGM200FFB120C2T2 igbttriode โมดูลพลังงานสูงส่วนอิเล็กทรอนิกส์ IGBT โมดูลทรานซิสเตอร์แยกออกเซมิคอนดักเตอร์อินเวอร์เตอร์อื่นๆ IC
Brand: Shanghai Niuqi Chip Technology Co., Ltd.
SKU: 1601231654599
Price: 166.21 USD
Availability: InStock

ยังไม่มีรีวิว

Shanghai Niuqi Chip Technology Co., Ltd. 1 yr

NGM200FFB120C2T2 igbttriode โมดูลพลังงานสูงส่วนอิเล็กทรอนิกส์ IGBT โมดูลทรานซิสเตอร์แยกออกเซมิคอนดักเตอร์อินเวอร์เตอร์อื่นๆ IC

คุณสมบัติที่สำคัญ

คุณลักษณะอื่น ๆ

สถานที่กำเนิด

Shanghai, China

ชื่อแบรนด์

niusemi

หมายเลขรุ่น

NGM200FFB120C2T2

ชนิด

1200V/200A 2ในแพ็คเกจเดียว

ประเภทการติดตั้ง

ติดตั้งเท้า

ลักษณะ

อุณหภูมิคงที่

ใบสมัคร

การแปลงและควบคุมพลังงาน

Series

200N120

คุณสมบัติ

VCEsat ต่ำตัวเหนี่ยวนำต่ำ

การผลิตวันที่รหัส

20240715

Vcepredatefinary Data Vces

1200V

IC Nom

200A

Icrm

400A

แสดงเพิ่มเติม

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์

แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม

1 - 89 ชิ้น

฿6,288.42

90 - 499 ชิ้น

฿6,105.95

500 - 999 ชิ้น

฿5,892.49

>= 1000 ชิ้น

฿5,722.41

รูปแบบ

ตัวเลือกทั้งหมด :

เลือกเลย

การจัดส่ง

โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้

ความคุ้มครองสำหรับผลิตภัณฑ์นี้

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Chovm.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

นโยบายการคืนเงิน & Easy Return

ขอรับเงินคืนหากคำสั่งซื้อของคุณไม่ได้จัดส่ง สูญหาย หรือสินค้าที่มาถึงมีปัญหาที่ตัวผลิตภัณฑ์ พร้อมคืนสินค้าในพื้นที่ฟรีเมื่อมีข้อบกพร่อง

จำนวน (ชิ้น )	1 - 1	2 - 90	91 - 500	> 500
ระยะเวลาโดยประมาณ (วัน)	7	15	21	รอการต่อรอง